第三代半導體技術創新中心 投產

 

　　9月6日，第三代半導體產業創新發展大會在南京市江寧開發區舉辦。國家第三代半導體技術創新中心(南京)一期項目竣工投產。

 

　　國家第三代半導體技術創新中心(南京)主任陳辰介紹，經過了解調研，該中心排出國家重點需求在新能源轎車、光伏、軌道交通
、高壓輸變電、智能電網等五大跑道，確定了攻堅“新能源轎車用高電流密度高牢靠碳化矽MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)產品”和“麵向智能電網和高鐵使用的高壓大功率碳化矽電力電子器件”兩大方向，從碳化矽電力電子的基礎理論
、資料生長、器件製備

、係統使用等四個方麵

，聯合生態夥伴們一道攻關。

 

　　該中心一期項目依托中電集團55所原有廠房區域，以存量帶增量的方法
，打造6英寸SiC(碳化矽)電力電子器件研發與中試平台，在國內首先打破6英寸碳化矽MOSFET批量生產技術，構成具有自主知識產權的碳化矽器件技術係統。二期項目計劃於2024年開建，工廠將打造8英寸第三代半導體芯片製造、先進晶圓封裝
、模塊封裝平台。

 

　　活動現場會集簽約的10個項目
，構成了從裝備到資料、芯片
、模組
、封裝檢測及下遊使用的產業鏈布局。